有關(guān)存儲芯片的漲價聲音還在持續(xù),,傳DRAM、NAND在Q4的合約價預(yù)計都將上漲,。Q4合約價漲定了,?據(jù)MoneyDJ消息,內(nèi)存在經(jīng)過史上最長的庫存調(diào)整期后,,近期屬合約市場下游的業(yè)者,,已被原廠通知Q4合約價要調(diào)漲,也讓走合約市場客戶在9月份可以有時間向其下游通知漲價,,這一波漲價由8-9月份現(xiàn)貨市場開始反彈,,走現(xiàn)貨的模塊廠率先反應(yīng),而合約市場則會在Q4陸續(xù)落實漲價,。DRAM三大原廠,、NAND 五六家原廠經(jīng)過長達超過五個季度的最長修正期,,陸續(xù)在去年底、今年初開始減產(chǎn),,但在終端需求不振以及減產(chǎn)需要時間發(fā)酵的情況下,,對內(nèi)存市況的拉抬一直并不明顯,每每聽聞喊漲,,但都難成氣候,。不過,現(xiàn)貨市場終于在8月起開始反應(yīng),。更特別的是,,市場原先認為,DRAM的原廠少,,應(yīng)該較有機會率先反彈,,而Nand flash原廠較多,再加上消費性電子需求不振,,應(yīng)該會是較晚復(fù)蘇,。但這次反而是NAND在8月率先上漲,預(yù)料Q4合約價亦是NAND漲幅勝于DRAM,。目前依原廠發(fā)出的通知,,依不同產(chǎn)品,NAND flash Q4的合約價有機會漲1-2成,、DRAM則約漲1成,,幾乎都有雙位數(shù)的漲幅。集微網(wǎng)的報道進一步提到,,雖然DRAM價格受限于終端市場需求尚未出現(xiàn)明顯復(fù)蘇,,漲幅可能不會太大,但高價位的DDR5產(chǎn)品或?qū)⒚媾R供應(yīng)短缺,,領(lǐng)漲DRAM市場,。業(yè)界怎么看?業(yè)界人士評估,,此波原廠漲價的立場堅定明確,,有可能是因為手上已握有大廠大單,產(chǎn)能已有特定訂單可消耗,,看準供需有機會出現(xiàn)缺口,,底氣足,也就一口氣喊定了要漲價,,也可望終結(jié)這一波內(nèi)存的量縮價跌走勢。此外,,華為Mate 60 Pro和iPhone 15的發(fā)布也成功點燃了全球消費性電子市場,,也成為拉動價格上漲的底氣,。據(jù)問芯Voice報道,伴著華為和蘋果新機的發(fā)布,,各種零部件都開始重溫久違的拉貨,、補貨、備貨,,冷清的全球消費性電子市場頓時生機再現(xiàn),。各家存儲大廠一路經(jīng)歷跌價、虧損,、減產(chǎn),、漲價四部曲,現(xiàn)在正式進入“漲價”階段,,三星,、SK海力士、美光等都已經(jīng)率先表態(tài)要漲NAND Flash合約價,。當前存儲廠的想法是,,不管真假缺貨潮,年底前的目標就是要漲價,,漲到不賠錢為止,。價格走勢基本止跌在漲價消息陸續(xù)放出前,價格走勢已基本穩(wěn)定,。DRAM方面,,近期報價止穩(wěn),繼DDR5價格第三季止跌回升后,,DDR4及DDR3現(xiàn)貨價最新報價也多呈現(xiàn)翻揚,。在供應(yīng)商不愿再降價下,DDR4 1G*8顆?,F(xiàn)貨價持續(xù)上漲,,近兩周累積漲幅超過一成。國際大廠9月起DDR3 4G,、DDR4 8G,、DDR5 16G價格均有回升。NAND方面,,據(jù)閃存市場消息,,9月備貨需求旺盛,存儲現(xiàn)貨行情穩(wěn)步上揚,。隨著原廠減產(chǎn)生效,,上游資源端放緩出貨節(jié)奏,加上本月備貨需求旺盛,,存儲現(xiàn)貨市場供需狀況加速好轉(zhuǎn),,供應(yīng)端普遍惜售低價庫存,,推動成品端價格跟隨成本穩(wěn)步上揚。而臨近Q4,,市場預(yù)期持續(xù)升溫,,三季度末部分NAND wafer供應(yīng)也按下暫停鍵,現(xiàn)貨市場NAND資源供應(yīng)愈加趨緊,。據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,,本周最新1Tb/512Gb NAND Flash wafer價格分別上調(diào)至3.45/1.72美元,DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT價格分別上調(diào)至2.43/2.17美元,。