有關(guān)存儲芯片的漲價聲音還在持續(xù),,傳DRAM,、NAND在Q4的合約價預(yù)計都將上漲。Q4合約價漲定了,?據(jù)MoneyDJ消息,,內(nèi)存在經(jīng)過史上最長的庫存調(diào)整期后,近期屬合約市場下游的業(yè)者,,已被原廠通知Q4合約價要調(diào)漲,,也讓走合約市場客戶在9月份可以有時間向其下游通知漲價,這一波漲價由8-9月份現(xiàn)貨市場開始反彈,,走現(xiàn)貨的模塊廠率先反應(yīng),,而合約市場則會在Q4陸續(xù)落實漲價。DRAM三大原廠,、NAND 五六家原廠經(jīng)過長達超過五個季度的最長修正期,,陸續(xù)在去年底、今年初開始減產(chǎn),,但在終端需求不振以及減產(chǎn)需要時間發(fā)酵的情況下,,對內(nèi)存市況的拉抬一直并不明顯,每每聽聞喊漲,但都難成氣候,。不過,,現(xiàn)貨市場終于在8月起開始反應(yīng)。更特別的是,,市場原先認為,,DRAM的原廠少,應(yīng)該較有機會率先反彈,,而Nand flash原廠較多,,再加上消費性電子需求不振,應(yīng)該會是較晚復(fù)蘇,。但這次反而是NAND在8月率先上漲,,預(yù)料Q4合約價亦是NAND漲幅勝于DRAM。目前依原廠發(fā)出的通知,,依不同產(chǎn)品,,NAND flash Q4的合約價有機會漲1-2成、DRAM則約漲1成,,幾乎都有雙位數(shù)的漲幅,。集微網(wǎng)的報道進一步提到,雖然DRAM價格受限于終端市場需求尚未出現(xiàn)明顯復(fù)蘇,,漲幅可能不會太大,,但高價位的DDR5產(chǎn)品或?qū)⒚媾R供應(yīng)短缺,領(lǐng)漲DRAM市場,。業(yè)界怎么看,?業(yè)界人士評估,此波原廠漲價的立場堅定明確,,有可能是因為手上已握有大廠大單,,產(chǎn)能已有特定訂單可消耗,看準(zhǔn)供需有機會出現(xiàn)缺口,,底氣足,,也就一口氣喊定了要漲價,也可望終結(jié)這一波內(nèi)存的量縮價跌走勢,。此外,,華為Mate 60 Pro和iPhone 15的發(fā)布也成功點燃了全球消費性電子市場,也成為拉動價格上漲的底氣,。據(jù)問芯Voice報道,伴著華為和蘋果新機的發(fā)布,,各種零部件都開始重溫久違的拉貨,、補貨、備貨,冷清的全球消費性電子市場頓時生機再現(xiàn),。各家存儲大廠一路經(jīng)歷跌價,、虧損、減產(chǎn),、漲價四部曲,,現(xiàn)在正式進入“漲價”階段,三星,、SK海力士,、美光等都已經(jīng)率先表態(tài)要漲NAND Flash合約價。當(dāng)前存儲廠的想法是,,不管真假缺貨潮,,年底前的目標(biāo)就是要漲價,漲到不賠錢為止,。價格走勢基本止跌在漲價消息陸續(xù)放出前,,價格走勢已基本穩(wěn)定。DRAM方面,,近期報價止穩(wěn),,繼DDR5價格第三季止跌回升后,DDR4及DDR3現(xiàn)貨價最新報價也多呈現(xiàn)翻揚,。在供應(yīng)商不愿再降價下,,DDR4 1G*8顆粒現(xiàn)貨價持續(xù)上漲,,近兩周累積漲幅超過一成,。國際大廠9月起DDR3 4G、DDR4 8G,、DDR5 16G價格均有回升,。NAND方面,據(jù)閃存市場消息,,9月備貨需求旺盛,,存儲現(xiàn)貨行情穩(wěn)步上揚。隨著原廠減產(chǎn)生效,,上游資源端放緩出貨節(jié)奏,,加上本月備貨需求旺盛,存儲現(xiàn)貨市場供需狀況加速好轉(zhuǎn),,供應(yīng)端普遍惜售低價庫存,,推動成品端價格跟隨成本穩(wěn)步上揚。而臨近Q4,,市場預(yù)期持續(xù)升溫,,三季度末部分NAND wafer供應(yīng)也按下暫停鍵,現(xiàn)貨市場NAND資源供應(yīng)愈加趨緊。據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,,本周最新1Tb/512Gb NAND Flash wafer價格分別上調(diào)至3.45/1.72美元,,DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT價格分別上調(diào)至2.43/2.17美元。