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來(lái)源:獵芯頭條
2022-03-15
01冰火兩重天,!ARM宣布裁員1000人,;英特爾、SK海力士,、恩智浦,、羅姆、富士康等投資建廠,,擴(kuò)大產(chǎn)能◎英偉達(dá)放棄以400億美元收購(gòu)之后,,ARM宣布裁員 1000 人3月15日早間消息,英國(guó)芯片公司 ARM透露,,計(jì)劃在全球范圍內(nèi)裁員 12%至15%,,最多1000 人,。大部分裁員將發(fā)生在英國(guó)和美國(guó),但沒(méi)有提供在各個(gè)國(guó)家的具體裁員數(shù)字,。該公司在公告中表示:“與任何其他企業(yè)一樣,,Arm正在不斷審查業(yè)務(wù)計(jì)劃,以確保公司在機(jī)會(huì)和成本之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。不幸的是,,這一過(guò)程包括提議裁減Arm的全球員工?!?nbsp;在此之前,,英偉達(dá)曾計(jì)劃以400億美元收購(gòu)ARM,但這項(xiàng)計(jì)劃遭到歐洲和美國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)的阻撓,,美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)甚至發(fā)起法律行動(dòng),,以阻止這筆交易。在經(jīng)過(guò)一年多審查之后,,軟銀將 Arm 出售給英偉達(dá)的交易以失敗告終,,雙方已同意于 2022 年 2 月 8 日終止協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款,,軟銀將保留英偉達(dá)預(yù)付的 12.5 億美元,,這筆錢將在第四季度記為利潤(rùn),而英偉達(dá)將保留其 20 年的 Arm 授權(quán),?!蛴⑻貭枌⑿?xì)W洲投資計(jì)劃細(xì)節(jié),暗示新工廠選址已敲定 據(jù)英特爾官方消息,,太平洋夏令時(shí)間 3 月 15 日上午 6 點(diǎn),也就是北京時(shí)間晚 9 點(diǎn),,英特爾CEO 帕特?基辛格將舉行網(wǎng)絡(luò)直播,,分享英特爾在歐洲半導(dǎo)體研發(fā)和制造方面的最新計(jì)劃的詳細(xì)信息。 英特爾表示,,作為其 IDM 2.0 戰(zhàn)略的一部分,,英特爾致力于投資研發(fā)能力和制造能力,以滿足對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求,,并建立更具彈性,、全球平衡的供應(yīng)鏈。 英特爾于去年9 月公布了未來(lái) 10 年在歐洲投資 950 億美元的計(jì)劃,,帕特?基辛格 1 月表示,,公司將在未來(lái)幾個(gè)月宣布選定的制造地點(diǎn)。今年2 月,,歐盟委員會(huì)提議立法,,通過(guò)補(bǔ)貼當(dāng)?shù)匕l(fā)展,,幫助建立先進(jìn)半導(dǎo)體工廠,這讓英特爾等公司受益,。 英特爾目前在歐洲的愛(ài)爾蘭有一家半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,。新工廠將生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片。據(jù)兩名知情人士透露,,主要工廠將設(shè)在德國(guó),,馬格德堡(Magdeburg)可能是這家德國(guó)工廠的選址。另外,,英特爾也可能在意大利和法國(guó)開設(shè)聯(lián)合工廠,。意大利還計(jì)劃在 2030 年之前撥出 40 億歐元來(lái)吸引芯片制造商,以促進(jìn)當(dāng)?shù)匦酒圃鞓I(yè)的發(fā)展,。 ◎富士康與沙特阿拉伯談判,,欲在沙特建造90億美元半導(dǎo)體代工廠 富士康正在與沙特阿拉伯談判,考慮合作建設(shè)一座工廠,,投資 90 億美元,,主要生產(chǎn)微處理器、電動(dòng)汽車組件及其它電子產(chǎn)品,。 知情人士透露,,沙特阿拉伯正在評(píng)估富士康提出的投資提議,即在Neom建設(shè)一座雙線半導(dǎo)體代工工廠,,用于制造與表面黏著技術(shù)(SMT)有關(guān)產(chǎn)品以及晶圓,。沙特希望富士康保證工廠至少三分之二的產(chǎn)量能流入富士康現(xiàn)有供應(yīng)鏈。富士康已經(jīng)準(zhǔn)備在臺(tái)灣省,、印度擴(kuò)充產(chǎn)能,。它之前還曾計(jì)劃投資 100 億美元在美國(guó)威斯康星建廠,但最終投資規(guī)模大大縮減,。 富士康是全球最大的電子產(chǎn)品代工制造商,,也是蘋果公司的主要供應(yīng)商之一。近年來(lái),,該公司已將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車和半導(dǎo)體等領(lǐng)域,。在中美貿(mào)易緊張關(guān)系影響到半導(dǎo)體行業(yè)之際,富士康,,臺(tái)積電等企業(yè)都在尋求生產(chǎn)多元化,。◎SK海力士系統(tǒng)IC和恩智浦不斷提高在中國(guó)的產(chǎn)能目前,,SK Hynix System IC和總部位于荷蘭的恩智浦半導(dǎo)體公司都已擴(kuò)大其在中國(guó)的生產(chǎn)基地,。SK海力士欣正在推進(jìn)其8英寸代工廠子公司SK海力士系統(tǒng)芯片遷至中國(guó)東部江蘇省無(wú)錫市。根據(jù)Business Korea的一份報(bào)告,,該計(jì)劃預(yù)計(jì)將于今年上半年完成,。SK海力士系統(tǒng)IC是位于韓國(guó)清州的M8晶圓廠,,占地33000平方米。據(jù)報(bào)道,,該公司已將該晶圓廠的全部生產(chǎn)設(shè)備出售給無(wú)錫的合資公司,,產(chǎn)能轉(zhuǎn)移將于今年2月完成。 恩智浦半導(dǎo)體(天津)剛剛完成了位于中國(guó)北方天津市的IC測(cè)試中心二樓的建造,。根據(jù)天津經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)(TEDA)的數(shù)據(jù),,其一樓于2021年8月投入生產(chǎn),這是恩智浦測(cè)試中心的所在地,。該項(xiàng)目由恩智浦半導(dǎo)體(天津)有限公司投資建設(shè),,由中國(guó)最大的IC項(xiàng)目設(shè)計(jì)院EDRI設(shè)計(jì)建造,占地14900平方米,。 2021年,,恩智浦營(yíng)業(yè)收入達(dá)到110.63億美元,同比增長(zhǎng)28.46%,,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為25.83億美元,,同比增長(zhǎng)517.94%。恩智浦表示,,其2021年的收入同比增長(zhǎng)28.5%,,主要是由于該公司四個(gè)終端市場(chǎng)的增長(zhǎng)復(fù)蘇,在汽車,、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域表現(xiàn)非常出色,。 ◎羅姆將增加在馬來(lái)西亞的產(chǎn)能 據(jù)外媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體制造商羅姆正在擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞吉蘭丹(Kelantan)的電子元件工廠,,總投資為9.1億馬來(lái)西亞令吉(約合1.97億歐元),。通過(guò)這項(xiàng)投資,羅姆預(yù)計(jì)將創(chuàng)造超過(guò)340個(gè)高技能工作崗位,。這筆投資將給羅姆在其現(xiàn)有的場(chǎng)地內(nèi)建造一座新大樓,。隨著擴(kuò)張,羅姆正在響應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求,,并推動(dòng)模擬大規(guī)模集成(LSI)和晶體管的多站點(diǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)。新大樓的建造一旦完成,,將把羅姆運(yùn)營(yíng)的整體生產(chǎn)能力提高約1.5倍,。新的三層建筑將為羅姆提供總建筑面積29,580平方米,目前計(jì)劃于2022年第一季度開始建設(shè),,預(yù)計(jì)于2023年8月完成,。 02華為加速擴(kuò)張半導(dǎo)體“芯”版圖,旗下半導(dǎo)體投資平臺(tái)深圳哈勃注冊(cè)資本增至70億 近日,,深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“深圳哈勃”)工商信息發(fā)生變更,,注冊(cè)資本從45億元增至70億元,,增幅55.56%。從股東及出資額來(lái)看,,深圳哈勃此次并未引入新的投資方,,其第一大華為技術(shù)有限公司出資額從31.05億元增至48.3億元,華為終端(深圳)有限公司的出資額從13.5億元增資21億元,,哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司出資額從4500萬(wàn)元增至7000萬(wàn)元,。 增資完成后,華為,、華為終端,、以及哈勃科技對(duì)深圳哈勃的持股比例不變,依然分別為69%,、30%,、以及1%。 資料顯示,,深圳哈勃成立于2021年4月15日,,是華為旗下的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資平臺(tái)之一。成立之初,,深圳哈勃的注冊(cè)資本為20億元,,隨后在2019年9月份進(jìn)行了第一輪增資,注冊(cè)資本增至45億元,,增幅高達(dá)125%,。 換言之,從成立之初的20億元到如今的70億元,,深圳哈勃注冊(cè)資本增幅已高達(dá)250%,,這意味著華為在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局或?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)張。 公開資料顯示,,深圳哈勃充分發(fā)揮其作為華為旗下投資機(jī)構(gòu)的優(yōu)勢(shì),,頻頻出手投資半導(dǎo)體企業(yè),在一年不到的時(shí)間內(nèi),,深圳哈勃已經(jīng)對(duì)外投資了21家企業(yè),,平均每月對(duì)外投資約2家企業(yè)。作為重要的產(chǎn)業(yè)投資平臺(tái),,哈勃對(duì)于華為布局半導(dǎo)體芯片版圖的重要性不言而喻,,未來(lái)華為在該領(lǐng)域的投資舉措也將更加值得期待。03中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展 近日,,微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)與日本東京大學(xué)鹽見淳一郎團(tuán)隊(duì)合作,,在氮化鎵(GaN)—金剛石晶圓鍵合技術(shù)領(lǐng)域取得了新進(jìn)展。 該項(xiàng)研究創(chuàng)新地使用了表面活化鍵合法(SAB),,以納米非晶硅為介質(zhì)在室溫下達(dá)成了氮化鎵—金剛石鍵合,,系統(tǒng)揭示了退火中鍵合結(jié)構(gòu)的界面行為及其影響熱導(dǎo)和熱應(yīng)力的機(jī)理,,發(fā)現(xiàn)了納米非晶硅層在退火中再結(jié)晶從而降低界面熱阻的現(xiàn)象,展現(xiàn)了該鍵合技術(shù)在熱導(dǎo),、熱應(yīng)力控制及可靠性方面的明顯優(yōu)勢(shì),。 為實(shí)現(xiàn)高可靠性、大功率密度的GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)的系統(tǒng)小型化,,將GaN集成在金剛石基底上的GaN-diamond異質(zhì)集成方法受到廣泛關(guān)注,。 目前實(shí)現(xiàn)該異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)主要有外延生長(zhǎng)和鍵合兩種方法,相較于外延生長(zhǎng)存在熱應(yīng)力,、熱損傷和低界面熱導(dǎo)層等問(wèn)題,,鍵合技術(shù)因具有高熱導(dǎo)、低熱應(yīng)力的優(yōu)勢(shì),,作為器件優(yōu)先工藝頗具前景,,通過(guò)表面活化法在室溫下獲得的GaN-diamond異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu),其界面熱導(dǎo)已與外延生長(zhǎng)法制備的水平相當(dāng),。 然而,,室溫下獲得的GaN-diamond異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu),其高溫下的熱穩(wěn)定性研究尚不徹底,,而該穩(wěn)定性對(duì)后續(xù)器件的外延生長(zhǎng)及刻蝕的影響至關(guān)重要,,此外,介質(zhì)層對(duì)鍵合結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)影響也應(yīng)得到重視,,以期找到最優(yōu)化的濺射沉積厚度,。 本研究通過(guò)濺射沉積納米非晶硅層結(jié)合離子束表面活化方法達(dá)成了GaN在金剛石上的異質(zhì)集成,采用時(shí)域熱反射(TDTR)和透射電鏡對(duì)不同厚度納米非晶沉積層樣品的鍵合界面在退火前后進(jìn)行了測(cè)試與表征,,深度剖析了其成分與組織的演變行為及其對(duì)界面熱導(dǎo)的影響,。【內(nèi)容整理于快科技,、全球半導(dǎo)體觀察,、it之家、集微網(wǎng)等僅供交流學(xué)習(xí)使用,,謝謝,!】