01
冰火兩重天,！ARM宣布裁員1000人；英特爾,、SK海力士,、恩智浦、羅姆,、富士康等投資建廠,，擴大產能
◎英偉達放棄以400億美元收購之后，ARM宣布裁員 1000 人
3月15日早間消息,，英國芯片公司 ARM透露,，計劃在全球范圍內裁員 12%至15%，最多1000 人,。大部分裁員將發(fā)生在英國和美國,，但沒有提供在各個國家的具體裁員數(shù)字。
該公司在公告中表示：“與任何其他企業(yè)一樣,，Arm正在不斷審查業(yè)務計劃,，以確保公司在機會和成本之間取得適當?shù)钠胶狻２恍业氖?，這一過程包括提議裁減Arm的全球員工,?！?/p>
在此之前，英偉達曾計劃以400億美元收購ARM,，但這項計劃遭到歐洲和美國監(jiān)管機構的阻撓,，美國聯(lián)邦貿易委員會（FTC）甚至發(fā)起法律行動，以阻止這筆交易,。在經過一年多審查之后,，軟銀將 Arm 出售給英偉達的交易以失敗告終，雙方已同意于 2022 年 2 月 8 日終止協(xié)議,。根據(jù)協(xié)議條款,，軟銀將保留英偉達預付的 12.5 億美元，這筆錢將在第四季度記為利潤,，而英偉達將保留其 20 年的 Arm 授權,。
◎英特爾將宣布歐洲投資計劃細節(jié)，暗示新工廠選址已敲定
據(jù)英特爾官方消息,，太平洋夏令時間 3 月 15 日上午 6 點,，也就是北京時間晚 9 點，英特爾CEO 帕特?基辛格將舉行網絡直播,，分享英特爾在歐洲半導體研發(fā)和制造方面的最新計劃的詳細信息,。
英特爾表示，作為其 IDM 2.0 戰(zhàn)略的一部分,，英特爾致力于投資研發(fā)能力和制造能力,，以滿足對先進半導體不斷增長的需求，并建立更具彈性,、全球平衡的供應鏈,。
英特爾于去年9 月公布了未來 10 年在歐洲投資 950 億美元的計劃，帕特?基辛格 1 月表示,，公司將在未來幾個月宣布選定的制造地點,。今年2 月，歐盟委員會提議立法,，通過補貼當?shù)匕l(fā)展，幫助建立先進半導體工廠,，這讓英特爾等公司受益,。
英特爾目前在歐洲的愛爾蘭有一家半導體生產工廠。新工廠將生產更先進的芯片,。據(jù)兩名知情人士透露,，主要工廠將設在德國，馬格德堡（Magdeburg）可能是這家德國工廠的選址,。另外,，英特爾也可能在意大利和法國開設聯(lián)合工廠。意大利還計劃在 2030 年之前撥出 40 億歐元來吸引芯片制造商，以促進當?shù)匦酒圃鞓I(yè)的發(fā)展,。
◎富士康與沙特阿拉伯談判,，欲在沙特建造90億美元半導體代工廠
富士康正在與沙特阿拉伯談判，考慮合作建設一座工廠,，投資 90 億美元,，主要生產微處理器、電動汽車組件及其它電子產品,。
知情人士透露,，沙特阿拉伯正在評估富士康提出的投資提議，即在Neom建設一座雙線半導體代工工廠,，用于制造與表面黏著技術（SMT）有關產品以及晶圓,。沙特希望富士康保證工廠至少三分之二的產量能流入富士康現(xiàn)有供應鏈。富士康已經準備在臺灣省,、印度擴充產能,。它之前還曾計劃投資 100 億美元在美國威斯康星建廠，但最終投資規(guī)模大大縮減,。
富士康是全球最大的電子產品代工制造商,，也是蘋果公司的主要供應商之一。近年來,，該公司已將業(yè)務擴展到電動汽車和半導體等領域,。在中美貿易緊張關系影響到半導體行業(yè)之際，富士康,，臺積電等企業(yè)都在尋求生產多元化,。
◎SK海力士系統(tǒng)IC和恩智浦不斷提高在中國的產能
目前，SK Hynix System IC和總部位于荷蘭的恩智浦半導體公司都已擴大其在中國的生產基地,。SK海力士欣正在推進其8英寸代工廠子公司SK海力士系統(tǒng)芯片遷至中國東部江蘇省無錫市,。
根據(jù)Business Korea的一份報告，該計劃預計將于今年上半年完成,。SK海力士系統(tǒng)IC是位于韓國清州的M8晶圓廠,，占地33000平方米。據(jù)報道,，該公司已將該晶圓廠的全部生產設備出售給無錫的合資公司,，產能轉移將于今年2月完成。
恩智浦半導體（天津）剛剛完成了位于中國北方天津市的IC測試中心二樓的建造,。根據(jù)天津經濟開發(fā)區(qū)（TEDA）的數(shù)據(jù),，其一樓于2021年8月投入生產，這是恩智浦測試中心的所在地,。該項目由恩智浦半導體（天津）有限公司投資建設,，由中國最大的IC項目設計院EDRI設計建造,，占地14900平方米。
2021年,，恩智浦營業(yè)收入達到110.63億美元,，同比增長28.46%，營業(yè)利潤為25.83億美元,，同比增長517.94%,。恩智浦表示，其2021年的收入同比增長28.5%,，主要是由于該公司四個終端市場的增長復蘇,，在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網領域表現(xiàn)非常出色,。
◎羅姆將增加在馬來西亞的產能
據(jù)外媒報道,，日本半導體制造商羅姆正在擴大其在馬來西亞吉蘭丹（Kelantan）的電子元件工廠，總投資為9.1億馬來西亞令吉（約合1.97億歐元）,。通過這項投資,，羅姆預計將創(chuàng)造超過340個高技能工作崗位。這筆投資將給羅姆在其現(xiàn)有的場地內建造一座新大樓,。
隨著擴張,，羅姆正在響應對半導體的強勁需求，并推動模擬大規(guī)模集成(LSI)和晶體管的多站點生產系統(tǒng),。新大樓的建造一旦完成,，將把羅姆運營的整體生產能力提高約1.5倍。新的三層建筑將為羅姆提供總建筑面積29,580平方米,，目前計劃于2022年第一季度開始建設,，預計于2023年8月完成。
02
華為加速擴張半導體“芯”版圖,，旗下半導體投資平臺深圳哈勃注冊資本增至70億
近日,，深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱“深圳哈勃”）工商信息發(fā)生變更，注冊資本從45億元增至70億元,，增幅55.56%,。
從股東及出資額來看，深圳哈勃此次并未引入新的投資方,，其第一大華為技術有限公司出資額從31.05億元增至48.3億元,，華為終端（深圳）有限公司的出資額從13.5億元增資21億元，哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司出資額從4500萬元增至7000萬元,。
增資完成后,，華為,、華為終端,、以及哈勃科技對深圳哈勃的持股比例不變,，依然分別為69%、30%,、以及1%,。
資料顯示，深圳哈勃成立于2021年4月15日,，是華為旗下的半導體產業(yè)投資平臺之一,。成立之初，深圳哈勃的注冊資本為20億元,，隨后在2019年9月份進行了第一輪增資,，注冊資本增至45億元，增幅高達125%,。
換言之,，從成立之初的20億元到如今的70億元，深圳哈勃注冊資本增幅已高達250%,，這意味著華為在半導體領域的布局或將進一步擴張,。
公開資料顯示，深圳哈勃充分發(fā)揮其作為華為旗下投資機構的優(yōu)勢,，頻頻出手投資半導體企業(yè),，在一年不到的時間內，深圳哈勃已經對外投資了21家企業(yè),，平均每月對外投資約2家企業(yè),。作為重要的產業(yè)投資平臺，哈勃對于華為布局半導體芯片版圖的重要性不言而喻,，未來華為在該領域的投資舉措也將更加值得期待,。
03
中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質集成方面取得新進展
近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與日本東京大學鹽見淳一郎團隊合作,，在氮化鎵（GaN）—金剛石晶圓鍵合技術領域取得了新進展,。
該項研究創(chuàng)新地使用了表面活化鍵合法（SAB），以納米非晶硅為介質在室溫下達成了氮化鎵—金剛石鍵合,，系統(tǒng)揭示了退火中鍵合結構的界面行為及其影響熱導和熱應力的機理,，發(fā)現(xiàn)了納米非晶硅層在退火中再結晶從而降低界面熱阻的現(xiàn)象，展現(xiàn)了該鍵合技術在熱導,、熱應力控制及可靠性方面的明顯優(yōu)勢,。
為實現(xiàn)高可靠性、大功率密度的GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）的系統(tǒng)小型化,，將GaN集成在金剛石基底上的GaN-diamond異質集成方法受到廣泛關注,。
目前實現(xiàn)該異質集成結構主要有外延生長和鍵合兩種方法，相較于外延生長存在熱應力,、熱損傷和低界面熱導層等問題,，鍵合技術因具有高熱導,、低熱應力的優(yōu)勢，作為器件優(yōu)先工藝頗具前景,，通過表面活化法在室溫下獲得的GaN-diamond異質鍵合結構,，其界面熱導已與外延生長法制備的水平相當。
然而,，室溫下獲得的GaN-diamond異質鍵合結構,，其高溫下的熱穩(wěn)定性研究尚不徹底，而該穩(wěn)定性對后續(xù)器件的外延生長及刻蝕的影響至關重要,，此外,，介質層對鍵合結構的熱導影響也應得到重視，以期找到最優(yōu)化的濺射沉積厚度,。
本研究通過濺射沉積納米非晶硅層結合離子束表面活化方法達成了GaN在金剛石上的異質集成,，采用時域熱反射（TDTR）和透射電鏡對不同厚度納米非晶沉積層樣品的鍵合界面在退火前后進行了測試與表征，深度剖析了其成分與組織的演變行為及其對界面熱導的影響,。
【內容整理于快科技,、全球半導體觀察、it之家,、集微網等僅供交流學習使用,，謝謝！】
