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冰火兩重天,！ARM宣布裁員1000人,；英特爾、SK海力士,、恩智浦,、羅姆、富士康等投資建廠,，擴(kuò)大產(chǎn)能
◎英偉達(dá)放棄以400億美元收購(gòu)之后,，ARM宣布裁員 1000 人
3月15日早間消息，英國(guó)芯片公司 ARM透露,，計(jì)劃在全球范圍內(nèi)裁員 12%至15%,，最多1000 人。大部分裁員將發(fā)生在英國(guó)和美國(guó),，但沒(méi)有提供在各個(gè)國(guó)家的具體裁員數(shù)字,。
該公司在公告中表示：“與任何其他企業(yè)一樣，Arm正在不斷審查業(yè)務(wù)計(jì)劃,，以確保公司在機(jī)會(huì)和成本之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。不幸的是，這一過(guò)程包括提議裁減Arm的全球員工,?！?/p>
在此之前，英偉達(dá)曾計(jì)劃以400億美元收購(gòu)ARM,，但這項(xiàng)計(jì)劃遭到歐洲和美國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)的阻撓,，美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)（FTC）甚至發(fā)起法律行動(dòng)，以阻止這筆交易,。在經(jīng)過(guò)一年多審查之后,，軟銀將 Arm 出售給英偉達(dá)的交易以失敗告終，雙方已同意于 2022 年 2 月 8 日終止協(xié)議,。根據(jù)協(xié)議條款,，軟銀將保留英偉達(dá)預(yù)付的 12.5 億美元，這筆錢將在第四季度記為利潤(rùn),，而英偉達(dá)將保留其 20 年的 Arm 授權(quán),。
◎英特爾將宣布?xì)W洲投資計(jì)劃細(xì)節(jié),，暗示新工廠選址已敲定
據(jù)英特爾官方消息，太平洋夏令時(shí)間 3 月 15 日上午 6 點(diǎn),，也就是北京時(shí)間晚 9 點(diǎn),，英特爾CEO 帕特?基辛格將舉行網(wǎng)絡(luò)直播，分享英特爾在歐洲半導(dǎo)體研發(fā)和制造方面的最新計(jì)劃的詳細(xì)信息,。
英特爾表示,，作為其 IDM 2.0 戰(zhàn)略的一部分，英特爾致力于投資研發(fā)能力和制造能力,，以滿足對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求,，并建立更具彈性、全球平衡的供應(yīng)鏈,。
英特爾于去年9 月公布了未來(lái) 10 年在歐洲投資 950 億美元的計(jì)劃,，帕特?基辛格 1 月表示，公司將在未來(lái)幾個(gè)月宣布選定的制造地點(diǎn),。今年2 月,，歐盟委員會(huì)提議立法，通過(guò)補(bǔ)貼當(dāng)?shù)匕l(fā)展,，幫助建立先進(jìn)半導(dǎo)體工廠,，這讓英特爾等公司受益。
英特爾目前在歐洲的愛(ài)爾蘭有一家半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,。新工廠將生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片,。據(jù)兩名知情人士透露，主要工廠將設(shè)在德國(guó),，馬格德堡（Magdeburg）可能是這家德國(guó)工廠的選址,。另外，英特爾也可能在意大利和法國(guó)開設(shè)聯(lián)合工廠,。意大利還計(jì)劃在 2030 年之前撥出 40 億歐元來(lái)吸引芯片制造商,，以促進(jìn)當(dāng)?shù)匦酒圃鞓I(yè)的發(fā)展。
◎富士康與沙特阿拉伯談判,，欲在沙特建造90億美元半導(dǎo)體代工廠
富士康正在與沙特阿拉伯談判,，考慮合作建設(shè)一座工廠，投資 90 億美元,，主要生產(chǎn)微處理器,、電動(dòng)汽車組件及其它電子產(chǎn)品。
知情人士透露,，沙特阿拉伯正在評(píng)估富士康提出的投資提議,，即在Neom建設(shè)一座雙線半導(dǎo)體代工工廠，用于制造與表面黏著技術(shù)（SMT）有關(guān)產(chǎn)品以及晶圓,。沙特希望富士康保證工廠至少三分之二的產(chǎn)量能流入富士康現(xiàn)有供應(yīng)鏈,。富士康已經(jīng)準(zhǔn)備在臺(tái)灣省,、印度擴(kuò)充產(chǎn)能。它之前還曾計(jì)劃投資 100 億美元在美國(guó)威斯康星建廠,，但最終投資規(guī)模大大縮減,。
富士康是全球最大的電子產(chǎn)品代工制造商，也是蘋果公司的主要供應(yīng)商之一,。近年來(lái),，該公司已將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車和半導(dǎo)體等領(lǐng)域。在中美貿(mào)易緊張關(guān)系影響到半導(dǎo)體行業(yè)之際,，富士康,，臺(tái)積電等企業(yè)都在尋求生產(chǎn)多元化。
◎SK海力士系統(tǒng)IC和恩智浦不斷提高在中國(guó)的產(chǎn)能
目前,，SK Hynix System IC和總部位于荷蘭的恩智浦半導(dǎo)體公司都已擴(kuò)大其在中國(guó)的生產(chǎn)基地。SK海力士欣正在推進(jìn)其8英寸代工廠子公司SK海力士系統(tǒng)芯片遷至中國(guó)東部江蘇省無(wú)錫市,。
根據(jù)Business Korea的一份報(bào)告,，該計(jì)劃預(yù)計(jì)將于今年上半年完成。SK海力士系統(tǒng)IC是位于韓國(guó)清州的M8晶圓廠,，占地33000平方米,。據(jù)報(bào)道，該公司已將該晶圓廠的全部生產(chǎn)設(shè)備出售給無(wú)錫的合資公司,，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移將于今年2月完成,。
恩智浦半導(dǎo)體（天津）剛剛完成了位于中國(guó)北方天津市的IC測(cè)試中心二樓的建造。根據(jù)天津經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（TEDA）的數(shù)據(jù),，其一樓于2021年8月投入生產(chǎn),，這是恩智浦測(cè)試中心的所在地。該項(xiàng)目由恩智浦半導(dǎo)體（天津）有限公司投資建設(shè),，由中國(guó)最大的IC項(xiàng)目設(shè)計(jì)院EDRI設(shè)計(jì)建造,，占地14900平方米。
2021年,，恩智浦營(yíng)業(yè)收入達(dá)到110.63億美元,，同比增長(zhǎng)28.46%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為25.83億美元,，同比增長(zhǎng)517.94%,。恩智浦表示，其2021年的收入同比增長(zhǎng)28.5%,，主要是由于該公司四個(gè)終端市場(chǎng)的增長(zhǎng)復(fù)蘇,，在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域表現(xiàn)非常出色,。
◎羅姆將增加在馬來(lái)西亞的產(chǎn)能
據(jù)外媒報(bào)道,，日本半導(dǎo)體制造商羅姆正在擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞吉蘭丹（Kelantan）的電子元件工廠,，總投資為9.1億馬來(lái)西亞令吉（約合1.97億歐元）。通過(guò)這項(xiàng)投資,，羅姆預(yù)計(jì)將創(chuàng)造超過(guò)340個(gè)高技能工作崗位,。這筆投資將給羅姆在其現(xiàn)有的場(chǎng)地內(nèi)建造一座新大樓。
隨著擴(kuò)張,，羅姆正在響應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求,，并推動(dòng)模擬大規(guī)模集成(LSI)和晶體管的多站點(diǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)。新大樓的建造一旦完成,，將把羅姆運(yùn)營(yíng)的整體生產(chǎn)能力提高約1.5倍,。新的三層建筑將為羅姆提供總建筑面積29,580平方米，目前計(jì)劃于2022年第一季度開始建設(shè),，預(yù)計(jì)于2023年8月完成,。
02
華為加速擴(kuò)張半導(dǎo)體“芯”版圖，旗下半導(dǎo)體投資平臺(tái)深圳哈勃注冊(cè)資本增至70億
近日,，深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“深圳哈勃”）工商信息發(fā)生變更,，注冊(cè)資本從45億元增至70億元，增幅55.56%,。
從股東及出資額來(lái)看,，深圳哈勃此次并未引入新的投資方，其第一大華為技術(shù)有限公司出資額從31.05億元增至48.3億元,，華為終端（深圳）有限公司的出資額從13.5億元增資21億元,，哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司出資額從4500萬(wàn)元增至7000萬(wàn)元。
增資完成后,，華為,、華為終端、以及哈勃科技對(duì)深圳哈勃的持股比例不變,，依然分別為69%,、30%、以及1%,。
資料顯示,，深圳哈勃成立于2021年4月15日，是華為旗下的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資平臺(tái)之一,。成立之初,，深圳哈勃的注冊(cè)資本為20億元，隨后在2019年9月份進(jìn)行了第一輪增資,，注冊(cè)資本增至45億元,，增幅高達(dá)125%。
換言之，從成立之初的20億元到如今的70億元,，深圳哈勃注冊(cè)資本增幅已高達(dá)250%,，這意味著華為在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局或?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)張。
公開資料顯示,，深圳哈勃充分發(fā)揮其作為華為旗下投資機(jī)構(gòu)的優(yōu)勢(shì),，頻頻出手投資半導(dǎo)體企業(yè)，在一年不到的時(shí)間內(nèi),，深圳哈勃已經(jīng)對(duì)外投資了21家企業(yè),，平均每月對(duì)外投資約2家企業(yè)。作為重要的產(chǎn)業(yè)投資平臺(tái),，哈勃對(duì)于華為布局半導(dǎo)體芯片版圖的重要性不言而喻,，未來(lái)華為在該領(lǐng)域的投資舉措也將更加值得期待。
03
中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展
近日,，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)與日本東京大學(xué)鹽見淳一郎團(tuán)隊(duì)合作,，在氮化鎵（GaN）—金剛石晶圓鍵合技術(shù)領(lǐng)域取得了新進(jìn)展。
該項(xiàng)研究創(chuàng)新地使用了表面活化鍵合法（SAB）,，以納米非晶硅為介質(zhì)在室溫下達(dá)成了氮化鎵—金剛石鍵合,，系統(tǒng)揭示了退火中鍵合結(jié)構(gòu)的界面行為及其影響熱導(dǎo)和熱應(yīng)力的機(jī)理，發(fā)現(xiàn)了納米非晶硅層在退火中再結(jié)晶從而降低界面熱阻的現(xiàn)象,，展現(xiàn)了該鍵合技術(shù)在熱導(dǎo)、熱應(yīng)力控制及可靠性方面的明顯優(yōu)勢(shì),。
為實(shí)現(xiàn)高可靠性,、大功率密度的GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）的系統(tǒng)小型化，將GaN集成在金剛石基底上的GaN-diamond異質(zhì)集成方法受到廣泛關(guān)注,。
目前實(shí)現(xiàn)該異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)主要有外延生長(zhǎng)和鍵合兩種方法,，相較于外延生長(zhǎng)存在熱應(yīng)力、熱損傷和低界面熱導(dǎo)層等問(wèn)題,，鍵合技術(shù)因具有高熱導(dǎo),、低熱應(yīng)力的優(yōu)勢(shì)，作為器件優(yōu)先工藝頗具前景,，通過(guò)表面活化法在室溫下獲得的GaN-diamond異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu),，其界面熱導(dǎo)已與外延生長(zhǎng)法制備的水平相當(dāng)。
然而,，室溫下獲得的GaN-diamond異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu),，其高溫下的熱穩(wěn)定性研究尚不徹底，而該穩(wěn)定性對(duì)后續(xù)器件的外延生長(zhǎng)及刻蝕的影響至關(guān)重要,，此外,，介質(zhì)層對(duì)鍵合結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)影響也應(yīng)得到重視，以期找到最優(yōu)化的濺射沉積厚度,。
本研究通過(guò)濺射沉積納米非晶硅層結(jié)合離子束表面活化方法達(dá)成了GaN在金剛石上的異質(zhì)集成,，采用時(shí)域熱反射（TDTR）和透射電鏡對(duì)不同厚度納米非晶沉積層樣品的鍵合界面在退火前后進(jìn)行了測(cè)試與表征,，深度剖析了其成分與組織的演變行為及其對(duì)界面熱導(dǎo)的影響。
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