摩根士丹利（大摩）證券稱,，由于需求疲軟，將導(dǎo)致下半年存儲(chǔ)器價(jià)格更快速下滑,，DRAM,、NOR Flash、NAND Flash等三大存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況都無(wú)法幸免于難，其指出南亞,、華邦,、旺宏、力積電,、群聯(lián)等臺(tái)廠承壓,。
大摩最新發(fā)布的報(bào)告指出，由于需求疲軟,，加上廠商與客戶端的高庫(kù)存水位,，存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈正面臨巨大的庫(kù)存去化壓力，造成下半年價(jià)格將進(jìn)一步跌價(jià),，且嚴(yán)重程度將大于市場(chǎng)預(yù)期,。
大摩指出，多頭陣營(yíng)可能認(rèn)為,，海力士與三星已停止生產(chǎn)1Gb及2Gb存儲(chǔ)器,，并且降低DDR3的生產(chǎn)。不過(guò),，由于CMOS影像感測(cè)器（CIS）的市場(chǎng)展望趨于疲弱,，三星正在將CIS的產(chǎn)能用來(lái)生產(chǎn)DDR3，使利基型DRAM供給更加惡化,。長(zhǎng)期來(lái)說(shuō),，海力士及三星不會(huì)放棄消費(fèi)性DRAM市場(chǎng)，而是移轉(zhuǎn)到DDR4以放眼4Gb產(chǎn)品,。
此外,，就各存儲(chǔ)器的價(jià)格趨勢(shì)來(lái)看，利基型DRAM現(xiàn)貨價(jià)預(yù)期將大幅下滑,，第3季預(yù)估比第2季下跌13%至18%,，第4季再比第3季下滑10%至15%?？萍际姓{(diào)機(jī)構(gòu)集邦（TrendForce）認(rèn)為,，消費(fèi)性DRAM價(jià)格修正程度將大于預(yù)期。
NAND芯片／固態(tài)硬碟（SSD）價(jià)格則更弱,，第3季預(yù)期比第2季下跌13%至18%,，第4季預(yù)期比第3季再跌15%至20%。大摩指出,，個(gè)人電腦及智能手機(jī)需求持續(xù)弱勢(shì),，終端客戶面臨調(diào)降庫(kù)存的壓力。
