1月11日,，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子發(fā)布公告稱,，已經(jīng)和氮化鎵功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm達(dá)成協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm,，較Transphorm 在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元,。
此次收購將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù),，從而擴(kuò)展其在電動汽車,、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能,、基礎(chǔ)設(shè)施）,、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍,。
隨著碳中和的基石需求逐漸增加,，對高效電源系統(tǒng)的需求也在增加。為了滿足這一趨勢,，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡,。以碳化硅（“SiC”）和GaN為代表。這些先進(jìn)材料允許比傳統(tǒng)硅基器件更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍,。為了借助這一勢頭,，瑞薩宣布建立一個(gè)內(nèi)部SiC生產(chǎn)線，并簽署了一份為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議,。
瑞薩現(xiàn)在計(jì)劃通過整合Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識,，進(jìn)一步擴(kuò)大其WBG產(chǎn)品組合，GaN是一種新興材料,，可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,、更低的功率損失和更小的尺寸。這些優(yōu)勢使客戶的系統(tǒng)具有更高的效率,、更小更輕的組成以及更低的總體成本,。
該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成，具體取決于Transphorm股東的批準(zhǔn),、所需的監(jiān)管許可以及其他慣例成交條件的滿足,。
瑞薩首席執(zhí)行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm公司是一家由在GaN功率領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)的獨(dú)特公司，其源于加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校,，” “引入Transphorm的GaN技術(shù)將在我們在IGBT和SiC方面的勢頭上構(gòu)建,，它將作為增長的關(guān)鍵支柱，推動和擴(kuò)展我們的電源產(chǎn)品組合,，為客戶提供選擇最佳電源解決方案的完整能力,。”
Transphorm的聯(lián)合創(chuàng)始人,、總裁兼首席執(zhí)行官Dr. Primit Parikh和聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Dr. Umesh Mishra表示：“結(jié)合瑞薩的全球影響力,、豐富的解決方案和客戶關(guān)系，我們很高興為全行業(yè)采用WBG材料鋪平道路,，并為顯著增長創(chuàng)造條件,。此次交易還將使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┻M(jìn)一步擴(kuò)展的服務(wù)，并為我們的股東提供顯著的即時(shí)現(xiàn)金價(jià)值,，” “此外,，它將為我們卓越的團(tuán)隊(duì)提供一個(gè)強(qiáng)大的平臺,，進(jìn)一步推動Transphorm的領(lǐng)先GaN技術(shù)和產(chǎn)品?！?/span>
而在瑞薩之前,，上一筆收購氮化鎵廠商的是英飛凌。
2023年,，英飛凌科技宣布完成以8.3億美元收購加拿大氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）的交易,，并斥資20億歐元擴(kuò)大其位于馬來西亞居林和奧地利菲拉赫工廠的氮化鎵和碳化硅芯片的產(chǎn)能。
英飛凌功率和傳感器系統(tǒng)總裁懷特表示,，英飛凌特別看好氮化鎵（GaN）芯片,。該公司預(yù)測，到2027年,，氮化鎵芯片市場將以每年56%的速度增長,。
氮化鎵目前與新能源汽車、光伏,、5G,、消費(fèi)快充等下游領(lǐng)域深度綁定。2017年-2021年,，氮化鎵市場規(guī)模從78.7億元提高至358.3億元,，年復(fù)合增長率40.1%。頭豹研究院指出,，隨著氮化鎵在新能源汽車應(yīng)用滲透率提升，預(yù)計(jì)到2026年氮化鎵市場規(guī)模將增長至1029.7億元,，年復(fù)合增長率27.7%,。
