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據(jù)集微網(wǎng)消息，市場近日傳出,，美光科技正在解散上海研發(fā)中心DRAM設(shè)計部門,，同時為部分核心員工提供技術(shù)移民美國資格，讓其攜帶家屬一同移民美國,。該部門總?cè)藬?shù)超過100人,，目前無法確定有多少員工會選擇移民。

報道稱,，美光解散DRAM設(shè)計團隊很有可能是出于防止技術(shù)外泄的考慮,，并將產(chǎn)品的設(shè)計和研發(fā)收攏至大陸以外的地區(qū)。加上美光十分重視知識產(chǎn)權(quán)保護,，因此有可能超前部署,。

美光的市場地位

美光是一個以存儲技術(shù)為長的公司，尤其是DRAM產(chǎn)品,，更是傲視存儲市場般的存在,。根據(jù)公司最新一季的財報，DRAM貢獻(xiàn)了美光約七成的營收,。  

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),，三星、SK海力士和美光三家巨頭以超過94%的市占統(tǒng)治了全球DRAM市場,，美光以25%的市占排名第三,，僅次于三星和SK海力士。

來源：TrendForce,，2020年11月

雖然在市占方面暫時落后,，但在技術(shù)方面，美光的追趕速度正在加快,，其今年第一季已領(lǐng)先三星,、SK海力士導(dǎo)入1α制程量產(chǎn)，更預(yù)計搶先在2022年推進(jìn)到1β制程,。

未來,，美光與其他公司的存儲龍頭之爭將愈演愈烈。據(jù)《華爾街日報》報導(dǎo),，美光去年10月已宣布未來十年投資超過1500億美元,，解決全球晶片短缺問題，并促進(jìn)美國國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn),。美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示,，公司將擴大現(xiàn)有的芯片制造設(shè)施，利用這筆資金建造新工廠。

曾與合作伙伴對簿公堂

國內(nèi)本土廠商在DRAM技術(shù)和市占方面與美光仍有較大的差距,，美光的高管此前在接受媒體采訪時曾表示,，中國競爭對手并不能在短期內(nèi)挑戰(zhàn)美國最大的存儲芯片制造商，但他們將密切關(guān)注新興中國競爭對手,。

為了避免競爭加劇以及被新興公司趕超,，美光尤其防止技術(shù)外泄，此前美光就曾因商業(yè)機密泄露將聯(lián)電告上法庭,。

2017年,，美光提告起訴聯(lián)電與福建晉華，稱聯(lián)電通過美光臺灣地區(qū)員工竊取其知識產(chǎn)權(quán),，包括存儲芯片的關(guān)鍵技術(shù),，并交由福建晉華，該行為侵害美光的商業(yè)秘密,。

隨后，該案被美方上升到國家安全高度,，美國司法部在2020年也起訴福建晉華與聯(lián)電共謀盜竊美光商業(yè)機密,。

直到2020年，耗時4年左右的案件以聯(lián)電與美光和解告終,。聯(lián)電稱,，公司與美光達(dá)成全球范圍內(nèi)的和解協(xié)議，雙方將各自撤回向?qū)Ψ教崞鸬脑V訟,，同時聯(lián)電向美光一次性支付一筆金額保密的和解金,，未來雙方將共同創(chuàng)造合作機會。

在和解協(xié)議中,，美國司法部同意撤銷對聯(lián)電原來的指控,，包括共謀實施經(jīng)濟間諜活動，共謀竊取多項美光的營業(yè)秘密和專利有關(guān)的指控,，以及高額損害賠償及罰金等,。

有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，聯(lián)電與美光既然能夠和解,，且和解金也不高,，坐實沒有實質(zhì)證據(jù)證明先前種種指控。美光之所以不惜大動作興起侵權(quán)訴訟,，可能是感受到了威脅,，因為發(fā)展半導(dǎo)體需要完整的團隊，而聯(lián)電合作的福建晉華正具備完整的團隊,。

中國DRAM三駕馬車

目前我國專注于DRAM存儲芯片包括紫光南京,、福 建晉華、合肥長鑫三家廠商。其中合肥長鑫擁有DRAM自主生產(chǎn)能力,，是我國短期內(nèi)完成DRAM國產(chǎn)替代的最大希望,。

中國主要DRAM廠商

圖片來源：方大證券

中國主要存儲芯片生產(chǎn)基地

圖片來源：方大證券

紫光南京是紫光集團旗下的重要的DRAM存儲器制造基地，目前還處于建設(shè)中,。其產(chǎn)品線覆蓋標(biāo)準(zhǔn)SDR,、DDR、DDR2,、DDR3,、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4,。量產(chǎn)環(huán)節(jié)主要由力晶半導(dǎo)體完成,，尚無自產(chǎn)能力。

福建晉華主要研發(fā)利基型DRAM技術(shù),，規(guī)劃第一階段做25nm 4GB DDR4/DDR3產(chǎn)品,。但在2018年，福建晉華被美國商務(wù)部以國家安全為由,，列入出口管制清單,，同時受美光起訴聯(lián)電案件影響，福建晉華的DRAM開發(fā)計劃被迫中斷,，長時間處于停擺狀態(tài),。

合肥長鑫目前是國內(nèi)首家DRAM存儲芯片供應(yīng)商，主要生產(chǎn)移動型DRAM,，目前已具備量產(chǎn)能力,。2018年成功量產(chǎn)DDR4，2019年成功量產(chǎn) LPDDR4,，是現(xiàn)在本土唯一能夠自主生產(chǎn)DRAM的廠商,，目前工藝尺寸為19nm。

合肥長鑫于2018年一季度已完成一期建設(shè),，12英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)電性片,。2019年后半年公司的DDR和 LPDDR4產(chǎn)品正式投產(chǎn)，目前產(chǎn)能為4萬片每月,。該公司的8G DDR4以及8G LPDDR4產(chǎn)品已經(jīng)對外供應(yīng),， 主要應(yīng)用方向為手機端，客戶為聯(lián)想,、小米,、華為等。

此外,，合肥長鑫海已與NOR Flash龍頭兆易創(chuàng)合作 ,，開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含 DRAM等)的研發(fā),。合作方式主要分為代銷和代工兩種。兆易創(chuàng)新自研的DRAM由合肥長鑫生產(chǎn),，兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)代銷,。

總結(jié)

在三星、SK海力士,、美光寡頭壟斷的市場格局之下,，DRAM芯片已成為我國受外部制約最嚴(yán)重，也是議價能力最弱的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,。

為了供應(yīng)鏈安全和減少對外國芯片供應(yīng)商的依賴,，國內(nèi)正大力支持國內(nèi)存儲制造商發(fā)展。

然而,，在中國半導(dǎo)體業(yè)崛起的路上,，美國威逼利誘，不僅有針對性打壓和制裁相關(guān)企業(yè),，現(xiàn)在部分美國企業(yè)更是擔(dān)心受怕到要將核心技術(shù)遷到中國之外,，甚至提供全家移民的福利，防止核心員工流失導(dǎo)致的技術(shù)外泄,。

這些行為無疑反映出美國越來越擔(dān)心中國半導(dǎo)體企業(yè)的崛起,，盡管我們技術(shù)水平和市占率仍落后比較多。但只有勤練內(nèi)功,，自主研發(fā)和專利并購兩手抓，才能無懼打壓,，沿著自主化路線繼續(xù)前行,。