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10月18日早間消息,，三星官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作,。

據(jù)悉,，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML（阿斯麥）,，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B（光源功率280W）,，日產(chǎn)能1500片。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),，EUV使用13.5nm波長(zhǎng)的極紫外光曝光硅片,，而傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒(méi)式光刻則是依靠193nm波長(zhǎng)，并且需要昂貴的多模掩模裝置,。EUV技術(shù)使得使用單個(gè)光罩來(lái)創(chuàng)建硅晶圓層成為可能,，而ArF可能需要多達(dá)4倍的光罩才能創(chuàng)建相同的晶片。也就是說(shuō),，與非EUV工藝相比,，三星的7 LPP工藝可使光罩總數(shù)減少約20%，為客戶(hù)能夠節(jié)省時(shí)間和成本,。

三星透露,，其從2000年左右就著手研究EUV技術(shù)了。

技術(shù)指標(biāo)上,，對(duì)比10nm FinFET,，三星7nm LPP可實(shí)現(xiàn)面積能效（同樣復(fù)雜度為量綱）提升40%、性能增加20%,、功耗降低最多50%。

三星透露,，基于EUV的7nm LPP成功量產(chǎn)為其推進(jìn)3nm奠定了基礎(chǔ),、指明了道路。產(chǎn)能方面,，主要在韓國(guó)華城的S3工廠(chǎng),，2020年前會(huì)在開(kāi)一條新產(chǎn)線(xiàn)。

目前已知,，高通新一代的5G基帶會(huì)采用三星的7nm LPP工藝,，看起來(lái)驍龍8150/8180等SoC希望也很大,。